TLV2371QDRG4Q1 · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 2.1 V/µs
Продукция
ES3B-M3/57T · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 900 MV @ 3 A
SE20AFGHM3/6B · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 400 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.1 V @ 2 A
ES3B-M3/9AT · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 900 MV @ 3 A
TLV2211IDBVR · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 0.025 V/µs
NRVHPRS1GFA · Электронные компоненты
- Производитель
- Onsemi
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 400 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.3 V @ 800 MA
TL032IDRG4 · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- J-FET
- Скорость нарастания
- 5.1 V/µs
PG5407_R2_00001 · Электронные компоненты
- Производитель
- Panjit International Inc.
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 800 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.2 V @ 3 A
B530C-13-F-52 · Электронные компоненты
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Обратный ток утечки при Vr
- 500 µA @ 30 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 550 MV @ 5 A
INA211BIDCKR · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Измерение тока
- Скорость нарастания
- 0.4 V/µs
SS35-M3/9AT · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 500 µA @ 50 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 750 MV @ 3 A
TLV313QDCKRQ1 · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 0.5 V/µs
SB2K-M3/5BT · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 800 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.15 V @ 2 A
GI250-1-E3/54 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 3.5 V @ 250 MA
TSX921IYLT · Электронные компоненты
- Производитель
- STMicroelectronics
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 17 V/µs
SB2K-M3/52T · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 800 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.15 V @ 2 A
MC3403PWRE4 · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 0.6 V/µs
ES2C · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 150 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 950 MV @ 2 A