BYT53D-TAP · Электронные компонентыПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes DivisionОбратный ток утечки при Vr5 µA @ 200 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If1.1 V @ 1 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.SDT5100LP5-7D · Электронные компонентыПроизводительDiodes IncorporatedОбратный ток утечки при Vr4 µA @ 100 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If820 MV @ 5 A Запросить цену
LM2904VDMR2G · Электронные компонентыПроизводительOnsemiТип усилителяОбщего назначенияСкорость нарастания0.6 V/µs Запросить цену
MUR4100GP-TP · Электронные компонентыПроизводительMicro Commercial CoОбратный ток утечки при Vr10 µA @ 100 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If1.85 V @ 4 A Запросить цену
TSV521AICT · Электронные компонентыПроизводительSTMicroelectronicsТип усилителяCMOSСкорость нарастания0.89 V/µs Запросить цену
LSR104 · Электронные компонентыПроизводительTaiwan Semiconductor CorporationОбратный ток утечки при Vr1 MA @ 40 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If550 MV @ 1 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.ER1001_T0_00001 · Электронные компонентыПроизводительPanjit International Inc.Обратный ток утечки при Vr1 µA @ 100 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If950 MV @ 10 A Запросить цену
TSV911AIYLT · Электронные компонентыПроизводительSTMicroelectronicsТип усилителяОбщего назначенияСкорость нарастания4.5 V/µs Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.PG3010R_AY_00001 · Электронные компонентыПроизводительPanjit International Inc.Обратный ток утечки при Vr1 µA @ 1000 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If1.3 V @ 3 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.MUR4L40H · Электронные компонентыПроизводительTaiwan Semiconductor CorporationОбратный ток утечки при Vr10 µA @ 400 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If1.28 V @ 4 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.ESH2DHE3_A/I · Электронные компонентыПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes DivisionОбратный ток утечки при Vr2 µA @ 200 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If930 MV @ 2 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.LM324KPWR · Электронные компонентыПроизводительTexas InstrumentsТип усилителяОбщего назначенияСкорость нарастания0.5 V/µs Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.ESH2BHE3_A/H · Электронные компонентыПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes DivisionОбратный ток утечки при Vr10 µA @ 50 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If930 MV @ 2 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.V8P8HM3_A/I · Электронные компонентыПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes DivisionОбратный ток утечки при Vr700 µA @ 80 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If660 MV @ 8 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.TSV631IYLT · Электронные компонентыПроизводительSTMicroelectronicsТип усилителяОбщего назначенияСкорость нарастания0.34 V/µs Запросить цену
6A6G-TP · Электронные компонентыПроизводительMicro Commercial CoОбратный ток утечки при Vr10 µA @ 600 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If1 V @ 6 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.LM358AN · Электронные компонентыПроизводительOnsemiТип усилителяОбщего назначенияВходное напряжение смещения2mV Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.ES2C-E3/5BT · Электронные компонентыПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes DivisionОбратный ток утечки при Vr10 µA @ 150 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If900 MV @ 2 A Запросить цену