SR1504 · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Обратный ток утечки при Vr
- 500 µA @ 40 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 550 MV @ 15 A
Продукция
LMV831MGE/NOPB · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 2 V/µs
· Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 µA @ 150 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 750 MV @ 6 A
FESF8JTHE3_A/P · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 600 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.5 V @ 8 A
TLC277CDR · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 5.3 V/µs
FESF8BTHE3_A/P · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 950 MV @ 8 A
FESF8HTHE3_A/P · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 500 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.5 V @ 8 A
OPA2322AIDR · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 10 V/µs
FESB16FT-E3/45 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 300 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.3 V @ 16 A
FESF8CTHE3_A/P · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 150 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 950 MV @ 8 A
OPA172IDBVT · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 10 V/µs
FESF8DTHE3_A/P · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 950 MV @ 8 A
BYWB29-100HE3_A/I · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.3 V @ 20 A
AD8061ARTZ-REEL7 · Электронные компоненты
- Производитель
- ADI / Analog Devices Inc.
- Тип усилителя
- Обратная связь по напряжению
- Скорость нарастания
- 650 V/µs
MBR16150 · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 µA @ 150 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 950 MV @ 16 A
FESB16CT-E3/45 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 150 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 975 MV @ 16 A
ADA4891-2ARZ-R7 · Электронные компоненты
- Производитель
- ADI / Analog Devices Inc.
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 210 V/µs
BYWB29-150HE3_A/I · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 150 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.3 V @ 20 A