VS-MBRD650CTTRLPBF · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 3A
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 150°C
Продукция
JANTX1N5806 · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 150 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 875 MV @ 1 A
VS-30CTQ035STRLPBF · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 30A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 175°C
ES1BHE3_A/I · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 920 MV @ 1 A
STPS20200CTN · Электронные компоненты
- Производитель
- STMicroelectronics
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 10A
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 175°C
CUS05S40 · Электронные компоненты
- Производитель
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Обратный ток утечки при Vr
- 30 µA @ 10 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 350 MV @ 100 MA
MBR50035CTR · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 250A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
1N5615 · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 500 NA @ 200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.6 V @ 3 A
VS-15CTQ045STRLPBF · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 15A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
SE20PAJHM3/I · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 600 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.05 V @ 2 A
VS-HFA08TA60CSPBF · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 8A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
D4G-T · Электронные компоненты
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 400 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1 V @ 1 A
MAD1107E3/TU · Электронные компоненты
- Производитель
- Microsemi Corporation
- Тип монтажа
- Выводной монтаж
- Обозначение корпуса производителя
- 14-DIP
IDW100E60FKSA1 · Электронные компоненты
- Производитель
- Infineon Technologies
- Обратный ток утечки при Vr
- 40 µA @ 600 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 2 V @ 100 A
MBR500100CT · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 250A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
SBAS40LT3G · Электронные компоненты
- Производитель
- Onsemi
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 25 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1 V @ 40 MA
MBR3045FCTE3/TU · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 15A
- Рабочая температура перехода
- -65°C ~ 175°C
BAV21WS-HE3-08 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 NA @ 200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.25 V @ 200 MA