VS-1N3891 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 25 µA @ 200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.4 V @ 12 A
Продукция
TS1871AIDT · Электронные компоненты
- Производитель
- STMicroelectronics
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 0.6 V/µs
SCS312AJTLL · Электронные компоненты
- Производитель
- Rohm Semiconductor
- Обратный ток утечки при Vr
- 60 µA @ 650 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.5 V @ 12 A
INA210AIRSWT · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Измерение тока
- Скорость нарастания
- 0.4 V/µs
LMH6642QMF/NOPB · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Обратная связь по напряжению
- Скорость нарастания
- 135 V/µs
SCS308AJTLL · Электронные компоненты
- Производитель
- Rohm Semiconductor
- Обратный ток утечки при Vr
- 40 µA @ 650 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.5 V @ 8 A
SA5534P · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 13 V/µs
DUR30120 · Электронные компоненты
- Производитель
- Littelfuse Inc.
- Обратный ток утечки при Vr
- 250 µA @ 1200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 2.75 V @ 30 A
TLC27M7CDR · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 0.62 V/µs
TLV2631IDBVR · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 10 V/µs
RFN20NS3STL · Электронные компоненты
- Производитель
- Rohm Semiconductor
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 350 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.35 V @ 20 A
OPA188AQDGKRQ1 · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Нулевой дрейф
- Скорость нарастания
- 0.8 V/µs
TSV6392AILT · Электронные компоненты
- Производитель
- STMicroelectronics
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 1.1 V/µs