다이오드 및 트랜지스터

BAS416,115 · 다이오드 및 트랜지스터

BAS321-QX · 다이오드 및 트랜지스터

BAS70-04-QR · 다이오드 및 트랜지스터

LS830 · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

동작 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

최대 전력

500 MW

U404 · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

동작 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

최대 전력

300 MW

LSK189 · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

FET 유형

N채널

최대 전력

300 MW

2N4392 · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

FET 유형

N채널

동작 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

SST402 · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

동작 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

최대 전력

300 MW

UJ3N065025K3S · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Qorvo

FET 유형

N채널

최대 전력

441 W

LSK489A · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

최대 전력

500 MW

동작 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

SST4118 · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

FET 유형

N채널

최대 전력

300 MW

U421 · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

최대 전력

500 MW

동작 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

LS5911 · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

최대 전력

500 MW

동작 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

LS844 · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

최대 전력

400 MW

동작 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

LS844 · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

최대 전력

400 MW

동작 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

LS320 · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

FET 유형

P채널

최대 전력

200 MW

LSJ74C · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

FET 유형

P채널

동작 온도

-55°C ~ 135°C (TJ)

2N5114 · 다이오드 및 트랜지스터

제조사

Linear Integrated Systems, Inc.

FET 유형

P채널

최대 전력

500 MW