AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J108_D26Z · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.FJN598JATA · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.PN4302 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Central Semiconductor CorpFET 유형N채널최대 전력625 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N5953 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Central Semiconductor CorpFET 유형N채널동작 온도-65°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N5115 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Central Semiconductor CorpFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J175 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Central Semiconductor CorpFET 유형P채널동작 온도-65°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J112 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Central Semiconductor CorpFET 유형N채널동작 온도-65°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N5116 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N5457_L99Z · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도135°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N5114UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
