AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK514-T-A · 다이오드 및 트랜지스터제조사Renesas Electronics America Inc패키지 / 케이스벌크 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MCH3914-7-TL-H · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MCH5908H-TL-E · 다이오드 및 트랜지스터제조사Onsemi동작 온도150°C (TJ)최대 전력300 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.SMMBFJ175LT1G · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형P채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK880-BL(TE85L · 다이오드 및 트랜지스터제조사Toshiba Semiconductor And StorageFET 유형N채널최대 전력100 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.NSVJ6904DSB6T1G · 다이오드 및 트랜지스터제조사Onsemi최대 전력700 MW동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J112-D74Z · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK879-GR(TE85L · 다이오드 및 트랜지스터제조사Toshiba Semiconductor And StorageFET 유형N채널최대 전력100 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK880-Y(TE85L · 다이오드 및 트랜지스터제조사Toshiba Semiconductor And StorageFET 유형N채널최대 전력100 MW 견적 요청
