AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK3738-TL-E · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N5116 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Central Semiconductor CorpFET 유형P채널동작 온도-65°C ~ 200°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4416A-E3 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Vishay SiliconixFET 유형N채널최대 전력300 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4119A · 다이오드 및 트랜지스터제조사Vishay SiliconixFET 유형N채널최대 전력300 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4117A-E3 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Vishay SiliconixFET 유형N채널최대 전력300 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.TF256TH-3-TL-H · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK715U-AC · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도125°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.TF202THC-5-TL-H · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.JANTX2N4857 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microsemi CorporationFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
