JAN1N5619US/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 3 A
전자 부품
VS-80APF02-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 80 A
VS-40HFL10S02 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.95 V @ 40 A
JANTXV1N6642US/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
1N5809US/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 875 MV @ 4 A
VS-6FR100M · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 19 A
VS-71HFR20 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 MA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.35 V @ 220 A
CDLL5818E3 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 1 A
1N5811E3 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 875 MV @ 4 A
VS-6F100M · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 19 A
VS-12FR100M · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.26 V @ 38 A
VS-72HF80 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 9 MA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.35 V @ 220 A
1N5620US/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 3 A
VS-12F60M · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.26 V @ 38 A