MBRH120200 · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 120 A
전자 부품
UES1106HR2/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 1 A
- 역회복 시간 (trr)
- 50 Ns
1N5820/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A
1N5814 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 20 A
MBRH12080 · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 4 MA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 840 MV @ 120 A
1N5820 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A
MBRH120150 · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 880 MV @ 120 A
MBRH12045 · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 4 MA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 120 A
JANS1N5621/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 200°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 3 A
MBRH12030 · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 4 MA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 120 A
MBRH12060 · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 4 MA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 120 A
MBRH120150R · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 880 MV @ 120 A
MBRH120100 · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 4 MA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 840 MV @ 120 A