ES1PB-M3/85A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 1 A
전자 부품
RS1KLWHRVG · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
ES1DL · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 1 A
ESH2PBHM3/85A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 980 MV @ 2 A
HS1KLW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 1 A
1SR159-200TE25 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 980 MV @ 1 A
SE15FJHM3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 1.5 A
ESH2BHE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 930 MV @ 2 A
ES1FH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
SKL13BH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 390 MV @ 1 A
S1FLK-GS18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
BYG10M-M3/TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 1.5 A
ES1JLHRVG · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 1 A