S12KC · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 800 V
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
전자 부품
VS-4ESH02-M3/86A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 930 MV @ 4 A
MURS240-M3/5BT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.45 V @ 2 A
SDT10H50P5-7D · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 450 MV @ 10 A
ES2F-M3/5BT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 2 A
MURS340-M3/9AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.28 V @ 3 A
STPS3H100UFN · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.5 MA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 760 MV @ 3 A
CMPD6001 · 전자 부품
- 제조사
- Central Semiconductor Corp
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 PA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 100 MA
VSSB310-M3/5BT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 3 A
SDT8A100P5-7D · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 8 A