AR3PG-M3/86A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 3 A
전자 부품
RS1MLH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 800 MA
ES1PCHM3/85A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 1 A
AR3PD-M3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 3 A
SGL41-20-E3/97 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 1 A
RS3J · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
BY203-12STR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 700 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.4 V @ 200 MA
RB060M-60DDTR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 610 MV @ 2 A
SSL33 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 30 V
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
ESH2BA · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 1 A