전자 부품
RS3B-M3/57T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2.5 A
NRVTS10120MFST3G · 전자 부품
- 제조사
- Onsemi
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 820 MV @ 10 A
GP10YE-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
SS34L · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A
GP10GE-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
SK56CHR7G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 5 A
GP10-4006E-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 기술
- 표준
- 최대 DC 역전압 (Vr)
- 800 V
GP10-4004E-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 기술
- 표준
- 최대 DC 역전압 (Vr)
- 400 V
V20KL45-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 20 A
VS-5EWX06FNTRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.9 V @ 5 A
1N4003GPE-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
VS-5EWH06FNTRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.85 V @ 5 A