UES1306E3 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 3 A
전자 부품
VS-T40HFL40S02 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 400 V
- 역회복 시간 (trr)
- 200 Ns
VS-T40HF100 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 MA @ 1000 V
- 기술
- 표준
JANTX1N6628U · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.35 V @ 2 A
VS-T40HF80 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 MA @ 800 V
- 기술
- 표준
JANTXV1N6626US/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 220 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.35 V @ 2 A
126NQ200-1 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 MA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.12 V @ 120 A
125NQ015R-1 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 MA @ 15 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 390 MV @ 120 A
124NQ045-1 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 540 MV @ 120 A
VS-T40HFL20S05 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 200 V
- 역회복 시간 (trr)
- 500 Ns
129NQ135R-1 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 MA @ 135 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.07 V @ 120 A
129NQ135-1 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 MA @ 135 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.07 V @ 120 A
125NQ015-1 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 MA @ 15 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 390 MV @ 120 A
123NQ100-1 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 MA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 910 MV @ 120 A