UES1305/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 3 A
전자 부품
1N3649R · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.2 V @ 10 A
1N6700US · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 470 MV @ 5 A
JANTXV1N6642UBD/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 300mA
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
JANS1N5614 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 3 A
VS-T85HF60 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 MA @ 600 V
- 기술
- 표준
1N3650R · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.2 V @ 10 A
1N6701US · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 470 MV @ 5 A
JANTXV1N6642UBCA/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 300mA
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
1N6702US/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 470 MV @ 5 A
1N3650 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.2 V @ 10 A
UES1305E3/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 3 A