전자 부품
GKN130/18 · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 22 MA @ 1800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 60 A
1N4595R · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 4 MA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 150 A
1N1614R · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 15 A
1N3671AR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.35 V @ 38 A
VS-150U100DL · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 180°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.47 V @ 600 A
JANS1N5802US · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 2.5 A
1N3673AR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.35 V @ 38 A
1N1200AR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 30 A
1N3670AR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 700 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 30 A
1N1202AR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.35 V @ 38 A
1N1203B · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 30 A