1SS423(TE85L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
전자 부품
BAT48ZFILM · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 200 MA
BAT42WS · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 200 MA
BAS70DW-05-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 70mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
S2G-13-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 1.5 A
PMEG6010AESBYL · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 650 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 625 MV @ 1 A
SF24G · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 2 A
RSX051VAM30TR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 390 MV @ 500 MA
BAS40W-05-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
RB521VM-30FHTE-17 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 470 MV @ 200 MA
ES1D · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 1 A