전자 부품
US1B-13-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 1 A
PMEG4005EPK · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 590 MV @ 500 MA
MSE1PJHM3/89A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
BAS28E6327HTSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
1SS379 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
BAT60JFILM · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 6 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 580 MV @ 1 A
1SS398TE85LF · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
PMEG4010EH · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 640 MV @ 1 A
BAS7004WH6327XTSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 70mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
BAT54WS-E3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 100 MA