BAW56-E3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 250mA
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
전자 부품
B230LA-E3/5AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 2 A
STTH1R02ZFY · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 1 A
VS-1EFH02HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 930 MV @ 1 A
GSD2004A-E3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 225mA
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
SBRT3U40P1-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 180 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 490 MV @ 3 A
BAT54C · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
SBR1A40S1-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 520 MV @ 1 A
SS14-M3/61T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 1 A
PMEG3010ET · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 560 MV @ 1 A
BAT41 · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 450 MV @ 1 MA
1SS184 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
SBR3U60P1Q-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 620 MV @ 3 A