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전자 부품

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TL082CD · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: J-FET
슬루율: 13 V/µs

FHP3450IMTC14X · 전자 부품

제조사: Onsemi
단일/양전원 전압 (±): 3 V ~ 12 V, ±1.5 V ~ 6 V
슬루율: 1100 V/µs

S1DLW · 전자 부품

제조사: Taiwan Semiconductor Corporation
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1 µA @ 200 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.1 V @ 1 A

MAX5679ETJ+T · 전자 부품

제조사: Maxim Integrated
단일/양전원 전압 (±): 9 V ~ 16.5 V
회로 수: 18

SMBT1230LT1G · 전자 부품

제조사: Onsemi
패키지 / 케이스: 벌크

MCP6052T-E/SN · 전자 부품

제조사: Microchip Technology
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.15 V/µs

SMBT1229LT3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
패키지 / 케이스: 벌크

DS3508E · 전자 부품

제조사: Maxim Integrated
단일/양전원 전압 (±): 9 V ~ 15.5 V
회로 수: 8

SBR10U200P5-13D · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 100 µA @ 200 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 880 MV @ 10 A

LMP2011MFX/NOPB · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
소비 전류: 930 UA
입력 바이어스 전류: 4 PA

MAX9657AEE+ · 전자 부품

제조사: Maxim Integrated
단일/양전원 전압 (±): 2.7 V ~ 3.6 V
슬루율: 65 V/µs

TL084IN · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: J-FET
슬루율: 13 V/µs

PMEG2005EGW118 · 전자 부품

제조사: NXP USA Inc.
패키지 / 케이스: 벌크

MAX9657AEE+T · 전자 부품

제조사: Maxim Integrated
단일/양전원 전압 (±): 2.7 V ~ 3.6 V
슬루율: 65 V/µs

LMH6628MAX/NOPB · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
소비 전류: 9 MA
최소 동작 온도: - 40 C

LT1013TDJ1 · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
소비 전류: 350 UA
입력 바이어스 전류: 30 NA

ES2DR115 · 전자 부품

제조사: Nexperia USA Inc.
패키지 / 케이스: 벌크

TSH346ID · 전자 부품

제조사: STMicroelectronics
단일/양전원 전압 (±): 4.5 V ~ 5.5 V
회로 수: 3