전자 부품
AU1PMHM3/84A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.85 V @ 1 A
RFN1L6SDDTE25 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.45 V @ 800 MA
1N5407-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 3 A
GI501-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 9.4 A
SBR1U200P1Q-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 820 MV @ 1 A
BAT54DW_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
1N4947GP-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
BAT54TW_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
RB055LAM-40TFTR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 620 MV @ 3 A
SS1H10LS · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 1 A
GP10Q-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 1 A