TSSE3U60 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 580 MV @ 3 A
전자 부품
DST560S-A · 전자 부품
- 제조사
- Littelfuse Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 700 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 5 A
BAT54TWP_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
DGP15-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1500 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
BAS70DW-05Q-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 70mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
SGL41-30-E3/96 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 1 A
U3D-E3/57T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
BAS7005E6433HTMA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 70mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
BYV27-150-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 165 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.07 V @ 3 A
BYT52M-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
BYW36-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
RB050L-40DDTE25 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 3 A
BYT54M-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 1 A