V20PM63-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 680 MV @ 20 A
전자 부품
1SS382TE85LF · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
V20PWM63-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 35 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 670 MV @ 20 A
V12PM153HM3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 12 A
CMSH3-200MFL · 전자 부품
- 제조사
- Central Semiconductor Corp
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
SBR8U60P5Q-13 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 330 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 8 A
SE80PWTG-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.12 V @ 8 A
SD830YS_L2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 8 A
RB058L-60TE25 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 4 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 640 MV @ 3 A