VS-12CWQ06FNTRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 6A
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
전자 부품
VS-15ETU12-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 80 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.78 V @ 15 A
PSDF0860L1_T0_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 8 A
BYC15-600 · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.9 V @ 15 A
VS-20L15T-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 MA @ 15 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 520 MV @ 40 A
VS-ETU1506-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.9 V @ 15 A
VS-12TQ045S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.75 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 560 MV @ 15 A
VS-12CWQ10FNTRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 6A
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
VS-15ETH06S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.2 V @ 15 A
BYR29X-800 · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 8 A
VS-10TQ035-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 670 MV @ 20 A
VS-10CSH01HM3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- 175°C (Max)