1N3595UR-1 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 NA @ 125 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 200 MA
전자 부품
PSDH60120S1_T0_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.2 V @ 60 A
SDURF3060CTR · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.03 V @ 15 A
VS-APU3006-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2 V @ 30 A
1N5818-1 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 1 A
SICU0860P-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 36 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 8 A
V20PW10C-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
PSDH30100S1_T0_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.15 V @ 30 A
V40PW10C-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
VS-E5PX6012LHN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.3 V @ 60 A
V20PW60C-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
VS-E5PH6012LHN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.5 V @ 60 A
SIC1060P-BP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 44 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 10 A