HN2S03FUTE85LF · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 50mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
전자 부품
ES1001FL_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 1 A
MBR220AFC_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 2 A
VS-4CSH02-M3/86A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 2A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
SS2040HE_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 2 A
MB2H60AL_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 2 A
HN2D01FTE85LF · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 80mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
SB360_R2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 3 A
BAS40DW-05-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
SK14_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 1 A
SX3H15_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 3 A
SBM56LAFC_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 220 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 5 A
SBA240AH_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 2 A