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전자 부품

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M1MA142WKT1G · 전자 부품

제조사: Onsemi
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 100mA (DC)
동작 접합 온도: 150°C (Max)

MBR120ESFT3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 10 µA @ 20 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 530 MV @ 1 A

MMBD2004S-7-F · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 225mA (DC)
동작 접합 온도: -65°C ~ 150°C

MBRS130T3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1 MA @ 30 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 600 MV @ 1 A

PMBD7100 · 전자 부품

제조사: Nexperia USA Inc.
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 215mA (DC)
동작 접합 온도: 150°C (Max)

NRVUS110VT3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 2 µA @ 100 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 875 MV @ 1 A

1SS392 · 전자 부품

제조사: Toshiba Semiconductor And Storage
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 100mA
동작 접합 온도: 125°C (Max)

MURS210T3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 2 µA @ 100 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 940 MV @ 2 A

GSXD160A010S1-D3 · 전자 부품

제조사: SemiQ
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 160A
동작 접합 온도: -40°C ~ 150°C

MBRA160T3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 200 µA @ 60 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 510 MV @ 1 A

HN1D03FU · 전자 부품

제조사: Toshiba Semiconductor And Storage
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 80mA
동작 접합 온도: 125°C (Max)

SS26T3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 200 µA @ 60 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 630 MV @ 2 A

VS-VSKD236/16PBF · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 115A
동작 접합 온도: -40°C ~ 150°C

MBRA140T3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 500 µA @ 40 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 550 MV @ 1 A

BAV99RWT1G · 전자 부품

제조사: Onsemi
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 215mA (DC)
동작 접합 온도: -65°C ~ 150°C

MBRS120T3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1 MA @ 20 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 600 MV @ 1 A

SBR3A40SAQ-13 · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 400 µA @ 40 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 480 MV @ 3 A

STTH9012TV1 · 전자 부품

제조사: STMicroelectronics
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 45A
동작 접합 온도: 150°C (Max)