PNE20080EPEZ · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 8 A
전자 부품
1N4148WTQ-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 150 MA
NTE639 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 3 A
1SS416CT · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 100 MA
BAS40L · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 40 MA
VB30150C-M3/8W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 15A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
NRVTS360ETFSWFTAG · 전자 부품
- 제조사
- Onsemi
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 12 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 6 A
V20M120M-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
SS35HE3_B/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 3 A
1SS193 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA