VS-6EWH06FNTRHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.1 V @ 6 A
전자 부품
VS-ETH1506STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.45 V @ 15 A
1N5392-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.4 V @ 1.5 A
IDL02G65C5XUMA2 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 35 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 2 A
1N4001-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
VS-VSKCS403/100 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
DTH8R06D · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.9 V @ 8 A
VS-VSKCS209/150 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
S1M-E3/5AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
VS-VSKC91/16 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 50A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
NTE584 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 15 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 35 MA
1N4002-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A