GSD2004S-HE3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 225mA
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
전자 부품
BAT85 · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 100 MA
BAS40CDW_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
GSD2004C-HE3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 225mA
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
1N4454UR/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 10 MA
BAS70-04Q-13-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 70mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
B0540WHE3-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 80 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 500 MA
GSD2004A-HE3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 225mA
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
CUS10S40 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 400 MV @ 500 MA
VS-EPU3006LHN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2 V @ 30 A
IDK08G65C5XTMA2 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 8 A
BAS85 · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.3 µA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 100 MA
BAW56TB_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 150mA
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
SDT05S60XK · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 5 A
GSD2004A-E3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 225mA
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)