BYT56M-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.4 V @ 3 A
전자 부품
UGF1008GAH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
RL204GP-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 2 A
P600K-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 6 A
SBRF4045CT · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 20 A
V1FM12-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 65 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 870 MV @ 1 A
P600G-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 6 A
V10P22CHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 3.2A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
S1PJ-M3/85A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
P600M-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 6 A
1T7G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 1 A
PDS835L-13 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.4 MA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 510 MV @ 8 A
V10DM150C-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C