BAV103-GS18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
전자 부품
JANS1N5822US · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A
MBRF2045CT · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
S1DLHRVG · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
HERF1005G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
S2DFS · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 2 A
APTDF400U120G · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.5 MA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.5 V @ 500 A
SFF1004GAH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
HERF1007G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
BAS286-GS18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 100 MA
VS-MURB2020CTR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
C4D40120H · 전자 부품
- 제조사
- Wolfspeed, Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 40 A
MBRF2060CT · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
MBRS1045CT · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
SS16LS · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 400 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 1 A