RS1KP1M-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.35 V @ 1 A
전자 부품
PMEG150G20ELRX · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 NA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 2 A
SS16-M3/61T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 1 A
VBT1060C-M3/8W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
F1T7G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
BYS11-90-M3/TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 90 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 1 A
MBRB1560CT-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 7.5A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
S1KLH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
VS-MBRB1535CT-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 7.5A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
HS1KFSH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 1 A
VS-10CTQ150STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
V2P22LHM3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 760 MV @ 1 A
VS-1ENH01-M3/85A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 1 A
VS-MBRB1535CTR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 7.5A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C