MURS1A-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 1 A
전자 부품
PMEG200G20ELPX · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 880 MV @ 2 A
SE15FJ-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 1.5 A
VBT1060C-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
CMDFSHC3-100 · 전자 부품
- 제조사
- Central Semiconductor Corp
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 3 A
VBT1045CBP-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
SE15FD-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 1.5 A
VS-16CDH02HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 8A
- 동작 접합 온도
- 175°C (Max)
V3P22HM3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 940 MV @ 3 A
UGF2006GH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
SB32AFC_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A
1N6480-E3/96 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
ER1EF_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 1 A