BYT56J-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.4 V @ 3 A
전자 부품
VF10150S-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 10 A
AR3PMHM3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.9 V @ 3 A
VF20100SG-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 350 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.07 V @ 20 A
LT1187CS8 · 전자 부품
- 제조사
- Linear Technology/Analog Devices
- 단일/양전원 전압 (±)
- 4.75 V ~ 16 V, ±2.38 V ~ 8 V
- 슬루율
- 165 V/µs
AU2PGHM3_A/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.9 V @ 2 A
BYT56B-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.4 V @ 3 A
