1N3619 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 30 A
전자 부품
1N3616R · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 50 A
VS-T85HFL80S05 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 MA @ 800 V
- 역회복 시간 (trr)
- 500 Ns
1N2262 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 30 A
1N2256 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 500 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 30 A
1N2236A · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 500 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 30 A
JANS1N5807US · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 875 MV @ 4 A
JANTXV1N4500 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 300 MA
JANS1N5616/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 3 A
1N4506 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 30 A
JANS1N5616 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 3 A
VS-T85HFL10S02 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 MA @ 100 V
- 역회복 시간 (trr)
- 200 Ns
JANS1N5809US · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 875 MV @ 4 A
1N4459R · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 15 A
1N4507 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 30 A