전자 부품
ER1004F_T0_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 10 A
RGP10KE-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
BYC15-1200PQ · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.2 V @ 15 A
VS-UFL250CB60 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 130A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
VS-15ETX06S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.2 V @ 15 A
1N4937GPE-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 1 A
APT2X30D40J · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 30 A
PMEG4030ETP-QX · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 490 MV @ 3 A
VS-MBRB735-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 7.5 A
S4PK-M3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 4 A
MBR6100F_T0_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 6 A