SICF0860P-BP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 36 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 8 A
전자 부품
RS3A-M3/9AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2.5 A
VS-VSKC91/06 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 50A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
RS3A-M3/57T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2.5 A
VS-3C10ET07T-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 55 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 10 A
GP10ME-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 1 A
WNSC6D16650CW6Q · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 80 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.45 V @ 16 A
GP10DE-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
GP10-4003E-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 기술
- 표준
- 최대 DC 역전압 (Vr)
- 200 V