VS-VSKC196/12PBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 97.5A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
전자 부품
S5DHE3_A/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 5 A
MUR310S · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
PMEG4002ESFYL · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 6.5 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 200 MA
ES2DA · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 2 A
ESH3B · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
BAS40L-G3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 40 MA
FST100100 · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100A
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 840 MV @ 100 A
MUR305SB · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
BAV20WS-E3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 200 MA
FST10030 · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100A
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 100 A
MUR340SB · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 3 A