VI20120SG-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.33 V @ 20 A
전자 부품
MBRB820-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 8 A
VS-6TQ045STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 800 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 6 A
VS-MBRB745TRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 7.5 A
BYW172F-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 9 A
MBRB8100-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 8 A
BYC5B-600 · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.9 V @ 5 A
