ES1FL · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
전자 부품
BAS381-TR3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 15 MA
ES1FL · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
MSRTA600100A · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 600A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
HS1KAL · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 1 A
SK510B · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 5 A
RB501SM-30T2R · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 350 MV @ 10 MA
SBR8E60P5-7D · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 580 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 8 A
RS3D-E3/9AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2.5 A