BAS386-TR3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 100 MA
전자 부품
VS-4ESH02HM3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 930 MV @ 4 A
MSCDC200KK170D1PAG · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
STPST1H100ZF · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.7 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 725 MV @ 1 A
SSL22H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 400 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 410 MV @ 2 A
SS2P3-M3/84A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 2 A
VS-VSKC270-30PBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 135A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
STF12100 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 12 A
PMEG3010ER-QX · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.5 MA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 360 MV @ 1 A
BYW34-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
BYT52G-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A