SS29LH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 90 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 2 A
전자 부품
MBRB20200CT · 전자 부품
- 제조사
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
S12MC · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 12 A
TSSA5U60H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 560 MV @ 5 A
MBR20200CD · 전자 부품
- 제조사
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
RF081L2STFTE25 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 980 MV @ 1.1 A
BYT53F-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
RGL41J-E3/96 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
ES3AHE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
MBR10200CD · 전자 부품
- 제조사
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
V10PWM12-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 400 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 820 MV @ 10 A