G3S12030B · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 42A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
전자 부품
S2JFS · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 2 A
RB450FT106 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 450 MV @ 10 MA
G3S06508B · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 14A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
SD840YS_S2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 8 A
BD890YS_S2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 90 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 8 A
GF1B-E3/5CA · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
1N5819 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 1 A
G3S12010BM · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 19.8A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
BD850YS_L2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 8 A
RBR1VWM30ATR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 480 MV @ 1 A
BD850YS_S2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 8 A