PCDD0865G1_L2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 60 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 8 A
전자 부품
1N4448HWT-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
1N1187A · 전자 부품
- 제조사
- Solid State Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.19 V @ 90 A
83CNQ100ASL · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 40A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
1SS355TE-17 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
80CNQ035ASM · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 40A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
MBRD660CTTR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 3A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
TS4148C · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 100 MA
IDD03SG60CXTMA2 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.3 V @ 3 A
S1D-13-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
113CNQ100ASM · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 55A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
MBR1040HEWS_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 580 MV @ 1 A
112CNQ030A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 55A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
60CTQ045 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C