전자 부품
V20150SG-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 20 A
MBRS16100 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 16 A
VF20150SG-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 20 A
MBRS1660 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 16 A
VI20150SG-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 20 A
RFV8TG6SGC9 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.8 V @ 8 A
VI20120S-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.12 V @ 20 A
VS-6TQ035HN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 800 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 6 A
VB20120S-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.12 V @ 20 A