전자 부품
UH4PBC-M3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 2A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
SS2PH10HM3_A/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 2 A
UH4PBC-M3/86A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 2A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
B240A-E3/61T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 2 A
BYQ28EF-200-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
SBRT5A50SA-13 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 5 A
SS8P5CHM3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 4A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
UGB8HCT-E3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 4A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
BAS3010B03WE6327HTSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 1 A
SS8P3CLHM3/86A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 4A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
S3D-13-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 3 A
SBLB2030CTHE3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
SS23S-E3/61T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 2 A
BYQ28EF-100-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
UGB18BCTHE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 18A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C