1N4001-E3/73 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
전자 부품
MBR10100 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 10 A
MBR1045 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 10 A
CPT60035 · 전자 부품
- 제조사
- Microsemi Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 300A
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 300 A
1N6663US · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 NA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 400 MA
CTS05S40 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 350 MV @ 100 MA
TSP12U120S · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 780 MV @ 12 A
MBRB15H35CT-E3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 7.5A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
1N4148W-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
VS-15EWX06FNTR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.2 V @ 15 A
APT2X61DC120J · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 60A
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 60 A